收藏本站
DMP2035UTS
100,000
10,000
10,000
T A = 150°C
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
T A = 125°C
100
T A = 85°C
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
10
T A = 25°C
T A = -55°C
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1
2 3 4 5 6 7 8
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
10,000
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
100
Fig. 10 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
90
Single Pulse
R θ JA = 143°C/W
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
80
70
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA (t)
60
100
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
50
40
30
10
20
10
1
1
2 3 4 5 6 7 8
0
0.0001
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1,000
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 143°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
Duty Cycle, D = t 1 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
/t
D = Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 13 Transient Thermal Response
DMP2035UTS
Document number: DS31940 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
January 2010
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP2035UVT-7 MOSFET P CH 20V 6A TSOT26
DMP2039UFDE-7 MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E
DMP2039UFDE4-7 MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6
DMP2066LDM-7 MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
DMP2066LSD-13 MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC
DMP2066LSN-7 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
DMP2066LSS-13 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
DMP2066UFDE-7 MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E
相关代理商/技术参数
DMP2035UVT 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:-20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2035UVT-13 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:-20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2035UVT-7 功能描述:MOSFET P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2039UFDE 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2039UFDE4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2039UFDE4-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2066LDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET